电动汽车、智能电网、核电、太阳能、风能等能源领域以及航海、航空、航天、高速轨道交通等技术的不断发展，对功率器件的性能提出了更高的要求。目前，基于硅材料的功率器件已经随其结构设计和制造工艺的日趋完善而接近由材料本身特性所决定的理论极限，第三代半导体材料能够替代第一代半导体材料硅，满足未来更高需求，将在工业界获得更广泛的应用。

第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度，更高的击穿电场、热导率、电子饱和速率及更高抗辐射能力，适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，代表材料有碳化硅、氮化镓、氧化锌、金刚石、氮化铝。目前，最成熟和应用潜力最大的第三代半导体材料为碳化硅，其各项指标均优于硅，其禁带宽度几乎是硅的3倍，理论工作温度可达600℃，远高于硅器件工作温度。